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IMD3AT108 |
SC-74，SOT-457 | Rohm Semiconductor | 28582 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IMD3AT108参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS COMPLX DGTL PNP/NPN SOT457 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：250MHz 功率 - 最大：300mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 光学 - 光电检测PDB-C107 陶瓷电容器1808HA180JAT1A 矩形- 接头，公引DF19L-30P-1H(59) 快动，限位，拉杆MBD5B3 DC DC ConVI-J7L-IX 晶体ECS-143-S-5P-TR 陶瓷电容器LD12AA331JAB1A 拭淨簽和刷子35687 嵌入式 - CPLLAMXO640E-3FTN256E 电阻器网络，阵列766143202G |
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